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簡要描述:半導體蝕刻低溫工藝控制制冷機組是確保工藝穩(wěn)定性和精度的關鍵設備,尤其在先進制程(如3nm以下)中,低溫蝕刻(如-30°C至-100°C)對溫度控制要求極為嚴苛。
詳細介紹
半導體蝕刻低溫工藝控制制冷機組選型,價格,方案等與江蘇康士捷機械設備有限公司溝通,多案例供參考。
康士捷生產(chǎn)的工業(yè)控溫設備有高溫型(5℃~35℃)、中溫型(-5℃~-40℃)、低溫型(-40℃~-80℃)、超低溫型(-150℃~-80℃)、冷熱兩用型(-150℃~+300℃)等系列產(chǎn)品供貴司選用。制冷量大小都有,有防爆型,防腐型,撬裝式,變頻型等。接受非標定做。溫度穩(wěn)定性±0.1℃等可選。
以下列出部分參數(shù),貴司參數(shù)溝通選型后確認。
半導體蝕刻低溫工藝控制制冷機組
典型溫區(qū):
常規(guī)蝕刻:-30°C~-60°C(如硅蝕刻、氧化物蝕刻)。
深低溫蝕刻:-60°C~-100°C(如高深寬比結構、低溫等離子體蝕刻)。
核心要求:
溫度穩(wěn)定性:±0.1°C(避免反應速率波動)。
快速響應:降溫速率≥5°C/min(工藝切換需求)。
潔凈度:無油污染(防止腔體污染)。
適用場景:-40°C~-100°C,中等冷量需求(5~50kW)。
工質組合:
高溫級:R507A/R448A(-40°C蒸發(fā))。
低溫級:R23/R14(-80°C以下需R14或氦氣)。
優(yōu)勢:連續(xù)運行、能效比高(COP>1.0@-80°C)。
適用場景:超低溫(-150°C以下)、極小冷量(如科研級蝕刻)。
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